MOS晶体管属于绝缘栅极场效晶体管，就是“金属-氧化物半导体场效应晶体管”，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作，有N沟道和P沟道两个型。MOS晶体管在电路中的作用与晶体管相同，即放大作用和非线性电阻的作用。除此之外，场效应管还有一个显著的特点就是输入电阻高。MOS管最经典的用法实现了单片机的IO口控制一个功率器件。

MOS晶体管有四个比较重要的参数需要来关注一下。第一个是封装，第二个是vgsth，第三个是Rdson上，第四个是Cgs。封装它指的就是一个MOS管的外形、尺寸、种类。NMOS被完全打开的时候，它的电阻接近于零。但是无论多小，它总归是有一个电阻值的，这就是所谓的Rdson。它指的是NMOS被完全打开之后，d、s之间的电阻值。Cgs指的是g跟s之间的寄生电容。它会影响到NMOS打开速度，因为加载到gate端的电压，首先要给这个电容先充电，这就导致了g、s的电压并不能一下子到达给定的一个数值。

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